技术编号：6828779
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用半导体或绝缘体基底当暴露于低电场中时产生并传导准弹道电子的新方法。这个方法将使可能在所述半导体或绝缘体内加速电子而不会遭到任何明显的非弹性能量损耗。其主要实施例将是例如在平板显示器与平面电子束光刻中的平面电子发射器。在各种应用领域中使用所述(公开的)平面电子发射器的许多装置也被公开，同时也申请对所述装置的优先权。本发明涉及在高电阻半导体或绝缘体内当暴露于低电场(约100V/cm)中时电子的准弹道传输。准弹道传输的意思是电子散射减至最少以致...
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