技术编号：6829112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。，已经报导了好几种在铁电氧化物材料中抑制或者抵消因氢引起的电子性能降低的方法。在高温(800℃)下进行大约一个小时的氧退火处理实际上可以完全恢复由于氢处理引起的铁电物质性能的降低。但高温氧退火本身也可能在硅晶体结构中引起缺陷，并且，它可能抵消前面任意一个成形-气体退火处理在互补金属氧化物半导体特性上的正面影响。特殊的金属化层和阻碍扩散层已经试用于减小氢的影响，这种氢的影响产生于高能处理步骤和成形-气体退火步骤中。典型的金属化方案涉及到一种在高于400℃的有...
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