技术编号:6829145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。发明背景技术 领域本发明涉及薄膜晶体管(TFT)及其生产方法,更具体地说,本发明涉及用形成在绝缘基材上的多晶半导体薄膜作为激活层的TFT,及生产TFT的方法。本申请要求2003年3月13日申请的日本专利申请2003-067858的优先权,此处引入该申请作为参考。背景技术 在生产以LSI(大规模集成)电路为代表的半导体设备时,硅被广泛用作半导体材料。使用非单晶硅的硅薄膜如无定形硅薄膜、多晶硅薄膜等的TFT作为激活层(active layer)用在液晶显示器(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。