技术编号：6829192
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。背景技术本发明一般涉及半导体材料衬底的制备，特别是涉及用于制造电子器件的硅晶片。更具体地，本发明涉单晶硅晶片及其制备方法。这种晶片包括其上淀积有外延硅层的表面，在基本上任何电子器件制造工艺的热处理期间过程中，形成一种理想的、不均匀的氧析出物的深度分布。作为制造半导体电子器件的大多数工艺所用的原材料，单晶硅通常是使用丘克拉斯基(“Cz”)工艺制备的。使用这种方法，多晶硅被装入坩埚并且熔化，籽晶与熔融的硅接触，通过缓慢提拉生长单晶。在提拉工艺过程中形成的第一部...
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