技术编号：6829342
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供ー种化学机械抛光(CMP)浆料组合物和ー种使用该浆料组合物的抛光方法。更具体地，本发明涉及表现出优异抛光选择性的CMP浆料组合物，其中，对单晶硅层或多晶硅层具有低抛光率，且对硅氧化物层具有高抛光率，并涉及使用该浆料组合物的抛光方法。背景技术近来，浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)エ艺已用于电隔离半导体器件，例如DRAM或闪速存储器等。该STIエ艺包括以下步骤在通过刻蚀或光刻法形成抛光停止层的硅晶片上形成沟槽，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。