技术编号:6829499
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制造方法,尤其涉及当将其应用于具有高性能和高稳定性的高度集成的电路器件时更有效的技术。背景技术 随着提高半导体器件的性能和半导体器件微型化的趋势,已经频繁采用能够减小掩膜的对准误差的自对准技术。例如,在日本专利申请未审公开号No.平11(1999)-26714中所公开的技术就是用氮化硅膜覆盖构成DRAM存储单元的MISFET(金属-绝缘体半导体场效应晶体管)的栅极;形成由氧化硅膜构成的层间绝缘膜;然后形成用于连接MISFET的源和漏...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。