技术编号:6829501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到半导体集成电路器件及其制造技术,确切地说是涉及到用来制作细微MISFET(金属绝缘体半导体场效应晶体管)的器件隔离结构以及可用于其制作工艺的技术。背景技术 随着半导体芯片或元件的尺寸减小和集成度提高,引进了绝缘膜被埋置在硅衬底中确定的各个沟槽内的浅沟槽隔离(SGI),作为代替硅局部氧化(LOCOS)方法的一种器件隔离结构。上述的浅沟槽隔离由于下列原因而被认为比LOCOS方法更有利于确保阈值特性以及降低结漏电和背栅效应(a)能够减小器件隔离间距,...
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