技术编号:6829502
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。背景技术 1.发明领域本发明涉及用于集成电路的薄膜领域,特别涉及铁电薄膜。更具体地,涉及一种用于提高铁电薄膜性能的覆盖层。2.问题陈述铁电薄膜具有在即使缺少应用电场的情况下保持感应极化状态的特征。如果在一个方向上的极化状态被定义为逻辑“0”极化状态而在相反方向上的极化状态被定义为逻辑“1”极化状态,并提供适当的电路检测极化状态,铁电薄膜可用来作为一个高速非易失性计算机存储器的信息存储介质。众所周知,这样的一个铁电存储器可通过使用铁电材料替代传统DRAM电容...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。