技术编号:6829704
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件。背景技术 作为III-V族化合物半导体的GaAs系晶体管与Si晶体管相比具有高工作频率、高输出、高增益、低工作电压、高工作效率及低耗电等各种优越的特征。由于这些特征,GaAs系异质结双极晶体管(以下称为HBT)和GaAs系异质结场效应晶体管(高电子迁移率晶体管,以下称为HEMT)作为移动通信用的器件已经实用化了。在该GaAs系晶体管中,GaAs系HBT可以用比HEMT少的电源个数进行驱动,因此,适合于装置的小型化。而且,由于GaAs系...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。