技术编号:6829846
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种分离沉积在一多孔层上的半导体薄膜的方法,一种用于生产半导体部件的方法,一种用于生产形成在一低成本基片上的单晶体层薄膜的太阳能电池,和用在它们中的一种阳极化处理设备。背景技术 薄膜半导体层被形成在位于表面部分或半导体基片层上的多孔层上,这样半导体层在多孔层的部分被分离,这种技术已被人熟知。作为一种分离方法,使用的是采用蚀刻的化学方法或是产生超声波或力比如作用在其上的拉力这样的物理方法。关于物理方法,日本第7-302889号专利申请公布显示了多孔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。