技术编号:6829951
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用浮栅存储电荷的双向读取/编程非易失存储单元。特别是,本发明涉及能在单一单元中存储多个位的这种非易失存储单元及这种单元的阵列,以及制造方法。背景技术 采用浮栅来存储电荷的单向读取/编程非易失存储单元在本领域中是公知的。例如,参见转让给本申请受让人的美国专利US5029130。通常,这些类型的存储单元各采用导电浮栅来存储一个位,即该浮栅存储电荷或不存储电荷。被存储在浮栅上的电荷控制晶体管的沟道中的电荷的传导。在期望增加这种非易失存储单元的存储容量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。