技术编号：6830347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在硅片表面制造金属线圈的方法，该方法在硅片表面采用重掺杂的局部扩散技术掩埋制造金属线圈的内端引线，然后用真空镀膜的工艺再在硅片表面制造金属线圈。目前，公知的在硅片表面制造金属线圈的方法有多种设计方案，但其主要构造方法都是采用MEMS技术中的牺牲层工艺制造金属线圈的内引线，这种方法制造工艺复杂，所需要的制造设备昂贵，在硅表面制造出的金属线圈成本高。本发明的目的是这样实现的将要在表面上制造金属线圈的硅片用浓硫酸煮至冒白烟(两遍)，待其冷却后用热、...
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