技术编号:6830482
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种以磁控溅射镀膜技术制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池缓冲层材料的方法。该缓冲层材料为硫化锌、氧化锌复合薄膜。背景技术太阳电池是一种根据光伏(Photovoltaic. PV)效应而将太阳光能直接转化为电能的半导体功能器件。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池因具有光吸收率高、禁带宽度可调、 抗辐射能力强、制造成本低、电池性能稳定、转换效率高等特点而被人们称为最有前景的光伏电池器件。CIGS薄膜太阳电池是在玻璃或其他廉价衬底上分别沉积多层薄膜而...
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