技术编号:6830572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是一种金属氧化物半导体管,尤其是多电位场极板高压N型金属氧化物半导体管。背景技术 金属氧化物半导体型高压器件具有开关特性好、功耗小等优点,更为重要的是金属氧化物半导体型高压器件易于兼容标准低压金属氧化物半导体工艺,降低芯片的生产成本,因此在10V-600V的应用范围内金属氧化物半导体型高压集成器件具有绝对优势,在100V工作电压以内,采用体硅材料具有成本低等优势,但在100V以上,体硅材料已无法满足设计要求,因此外延材料将成为首选,采用外延材料可以满...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。