技术编号:6830772
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术 由III-V族氮化物系列半导体诸如GaN、AlGaN、InGaN和InAlGaN形成的发光器件,诸如发光二极管和半导体激光器件受到大量关注,因为它们能通过直接跃迁,在黄光到紫外光范围内,尤其是在蓝光范围内以很大的发光强度发光。图8是III-V族氮化物系列半导体构成的常规发光二极管的示意剖面图。在图8中,在蓝宝石衬底101上依次形成GaN缓冲层102、也可用作n型包层的n型GaN接触层103、InGaN有源层104、p型AlGaN包层1...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。