技术编号：6830806
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用氮化镓(GaN)等氮化物系化合物半导体的发光二极管、半导体激光器等发光器件或场效应晶体管等电子器件用的衬底及其制造方法。背景技术 目前，在采用了氮化物系化合物半导体的发光器件等中，使用了稳定的蓝宝石衬底。不过，在蓝宝石中，由于没有解理面，将蓝宝石衬底用于半导体激光器时，常有这样的问题不能制造解理而成的反射面。另外，在将蓝宝石作为发光器件等的衬底料材采用时，也常发生这样的问题由于蓝宝石衬底和在该蓝宝石衬底上生长的外延层之间的晶格不匹配和热膨胀系...
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