技术编号:6830938
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体存储器件,更确切地说,涉及可有效地用于带有DRAM(动态RAM)的半导体集成电路器件的技术。在以下的描述中,n沟道MOSFET缩写为“nMOS”而P沟道MOSFET缩写为“pMOS”。背景技术 DRAM的位数已越来越大。这是由于FRAM具有适合于增大集成度的特性,例如,在所有各种半导体存储器中,DRAM的单元结构相当简单、图形设计已规则化以致有可能大规模地设计DRAM、单元面积可以做得很小;等等。随着DRAM位数的进一步增大,一个亟待解...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。