技术编号:6831010
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及适用于高频放大器的半导体器件。背景技术 采用InGaP/GaAs异质结双极型晶体管的大功率放大器组合件,广泛应用在移动电话等方面。在此,利用InGap层作为发射极材料,与AlGaAs层相比,能提高器件的可靠性。并且,功率放大器的效率是提高连续通话时间的重要特性。提高功率放大器的效率的有效方法,有降低偏致电压Vce offset。降低偏压Vce offset的方法,可以采用和发射极一样,集电极也用宽带隙材料的双异质结双极型晶体管...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。