技术编号:6831070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的领域是在集成电路处理中填充高深宽比沟槽。背景技术 随着集成电路中基本规则(ground rule)尺寸的缩小,填充高深宽比沟槽的问题增多了,对于用在浅沟槽隔离工艺(STI)中的隔离沟槽尤为明显,该工艺通常被用于先进的处理中。工业标准的填充材料和工艺一直是二氧化硅,SiO2和淀积高浓度等离子体(HDP)技术。由于其产生具有良好填充特性的高质量材料,所以此方法已经被广泛采用。集成电路设计者们已经使他们的结构和材料规格适应此工艺和材料。由于硅是压电的,所...
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