技术编号:6831141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成半导体器件的方法,尤其涉及用浅沟槽绝缘方法在半导体衬底上绝缘半导体器件的方法。背景技术 众所周知,在制作半导体集成电路器件的过程中,器件绝缘技术一直用于诸如晶体管和电容器的单个器件的电绝缘。在该器件绝缘技术的各种各样的方法中,普遍采用硅局部氧化(LOCOS)方法和浅沟槽绝缘(STI)方法。LOCOS方法在硅衬底的有源区形成基于氮化物层的掩膜图案,并用该掩膜图案作为掩膜热氧化硅衬底。虽然LOCOS方法是如上所述的简单氧化过程,但LOCOS方法是...
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