技术编号：6831142
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体，特别指氮化铝外延膜的外延生长方法。背景技术 在氮化物中，氮化铝(AlN)占有重要位置。它与氮化镓(GaN)等III族氮化物一起在短波长发光二极管(LED)、高温微电子器件及微波器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)等领域都有着广泛的应用。此外由于AlN自身的独特性质，如很高的声表面波速度、负电子亲和势等，使得其在声表面波器件，场发射阴极等应用方面有着许多潜在的优势。一般来说，AlN外延生长常用的衬底是蓝宝石衬底，但是由于蓝宝石的热导率很低，...
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