技术编号：6831247
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体晶体管，更具体地，涉及包括导电沟道和晶体管的源/漏和本体(体)之间的异质结的金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)，导电沟道在电流流动方向上没有异质阻挡层。背景技术 缩小硅MOSFET的比例已变成半导体产业中的一个主要挑战。随着器件尺寸缩小到纳米范围，传统的技术已不能减小某些不希望的物理效应。例如，防穿通(APT)或晕轮注入(halo implantation)用于减小短沟道效应(SCE)。然而，由于随温度扩散增强，因此很难获得陡峭的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。