技术编号：6831419
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种场效应晶体管，尤其涉及一种基于碳纳米管的场效应晶体管及其制造方法。背景技术自从第一个IC(Integrated Circuit)诞生以来，以硅器件为基础的微处理器产品的研发与制造在摩尔定律下以每18个月晶体管的数量翻一番的速度极速发展着。到2002年，微处理器已经含有7600万个晶体管，能够实现非常强大的功能。然而，科学界普遍认为摩尔定律不会永远有效，50纳米是现代半导体工艺的极限，而Intel的最新工艺是0.13微米，即硅极限将在10～15...
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