技术编号:6831490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺中的一种电容器制造方法,尤其是一种可以提高混合型集成电路中电容器性能的制造工艺。背景技术 电容器广泛应用在模拟或者混合型集成电路产品中,例如,RC振荡电路、内存的单存储节点、射频(RF)电路等。在集成电路构造中,电容器的容量单位是法拉,甚至是皮可法拉(百亿分之一法拉,PF),所以要求集成电路制造者非常高的技术含量。在微型芯片制造中,最常用的电介质是二氧化硅(SiO2),通常也称之为绝缘体。其中,平面型电容器,作为一种简单构造的电容器...
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