技术编号:6831754
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件,特别是涉及一种动态随机存取存储单元(Dynamic Random Access Memory cell,DRAM cell)及其制造方法。背景技术 在半导体产业中,动态随机存取存储器是一种不断地在研究与发展的重要集成电路。而目前在提高动态随机存取存储单元的储存电容、改善动态随机存取存储单元的读取与写入速度以及缩小动态随机存取存储单元的元件尺寸等方面的研究,持续获得不少成果。动态随机存取存储单元中通常包括有一个晶体管以及一个由晶体管...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。