技术编号：6831849
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在蓝紫色区域或紫外区域发光的发光二极管或半导体激光器元件等的发光元件或以千兆赫级动作的晶体管等。背景技术 一般，用式BxAlyGa1-y-zInzN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1)表示的氮化物半导体，由于在GaN的情况下，是带隙能量具有3.4eV(室温)的非常大的宽带隙能量的半导体，所以期待能够在从蓝色到紫外色的大范围内，实现可视区发光的材料。此外，由于在高电场下，具有高的电子速度，因此也能够期待作为高温动作及高输出晶体管的材料。以前，...
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