技术编号：6831937
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置及其制造方法，特别是涉及在绝缘膜上形成多个凹状图形的半导体装置及其制造方法。背景技术 近些年来，多层布线的微细化作为对半导体装置高速动作和抑制制造成本这些课题的一个解决方案正在进行。同时，伴随着布线的电阻和布线间的电容的增大，布线延迟(RC延迟)的问题已表面化，左右了半导体装置的动作速度。于是，以下对策广泛为人所知为了降低布线的电阻，就要使用布线材料铜(Cu)，或者，为了减小布线间的电容，就要将介电系数比现有的SiO2低的低介电常数材料...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。