技术编号:6831955
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到金属膜的制作,更确切地说是涉及到用原子层淀积(ALD)技术来形成金属膜的方法。根据出现在金属膜中的元件以及环绕金属膜的材料,本发明形成的金属膜能够被用于接触金属化、金属栅、或用作导电的扩散势垒。确切地说,本发明提供了一种等离子体增强的ALD方法以及一种低温热ALD方法,用来在衬底表面上制作厚度约为100埃或以下的共形金属膜。背景技术 在半导体工业中,TaSixNy膜已经被广泛地研究作为铜互连的势垒层和作为DRAM电容器的底部电极。这种膜典型地表...
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