技术编号:6831991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,特别是涉及防止因在电平移动电路中产生的错误信号导致的错误动作的技术。背景技术 在电力用半导体器件(功率用半导体器件)中,利用高耐压集成电路(以下称为「HVIC」)来驱动MOSFET或IGBT等功率半导体元件。例如,在驱动如半桥型的变流器那样的上臂和下臂的2个功率半导体元件的情况下,使用具有驱动上臂的功率半导体元件的高电位侧(高电位岛high-potential iland)的驱动电路和驱动下臂的功率半导体元件的低电位侧(低电位岛low...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。