技术编号:6831996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到互连结构及其制作方法。更确切地说,本发明涉及到双重镶嵌互连结构,它具有薄的无孔低介电常数介质层以及金属通路与线条导体和介质层之间的衬里材料。此互连结构适用于高速微处理器、专用集成电路(ASIC)、以及其它高速集成电路(IC)。背景技术 双重镶嵌型的许多低介电常数介质附加Cu互连结构是众所周知的。对于其中SiLKTM能够被用作低介电常数介质材料的双重镶嵌工艺的一个例子,可参见其全部内容此处被列为参考的受让于本发明相同的受让人的美国专利No.638...
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