技术编号:6832216
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有高度集成密度的器件如集成电路和/或微电机器件(MEM)的制造,和更特别地涉及在其上制造这种器件的化学机械抛光基底的改进体系与方法。背景技术 化学机械抛光(CMP)已成为集成电路(IC)制造中必不可少的步骤。在IC制造工艺的一些步骤中,如果较早施加的层没有平坦表面,则不能将后面的层施加到半导体基底上。CMP工艺被用于平面化这些层。在IC制造所使用的一些工艺中,可能希望平面化半导体基底的氧化物层表面。在特别的情况下,氧化物层填充一层或多层不同材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。