技术编号:6832235
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明关于一种功率二极管制备方法及其装置,特别是指一种用以清除半导体组件(尤指功率二极管)的P-N结暴露于外的部分的制备方法及其装置。背景技术 传统的功率二极管具有三个部分,分别为冷基座(Cold base)、半导体芯片(diode chip)及顶部导线(top wire),而此三者会通过焊接的过程连结成一体。在经过焊接的过程之后,半导体芯片的P-N结的侧向暴露于外的部分需要被清除,以便开发半导体芯片的P-N结的耐压能力(blockingability)。...
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