技术编号：6832309
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路，特别涉及一种使用了漏电电流小的3晶体管型动态单元的半导体集成电路。背景技术 3晶体管型动态单元及使用了它的半导体集成电路早已为人所知。与使用6个晶体管的静态单元(以下称为“6T单元”)相比，由于元件数量少，因此集成化程度高；与单个晶体管型动态单元(1T单元)不同，由于具有读出时的增益，因此能够高速动作，这是其优点。作为与3晶体管单元(以下称“3T单元”)有关的文献例，有专利文献1。该发明的目的在于通过将3T单元读出时存储Tr的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。