技术编号:6832346
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在具有电容元件的中对提高电容膜的特性有用的技术。背景技术 为了在半导体器件中形成电容元件,有下述的方法将下部电极的结构作成与栅电极相同的结构,通过在其上形成电容膜、上部电极来制作电容元件。在该制造方法中,大多将下部电极的结构作成层叠了多晶硅膜和硅化钨膜的多侧面(ポリサイド)结构。在该下部电极上形成由绝缘材料构成的电容膜,在上述电容膜上形成由多晶硅膜得到的上部电极。在该方法中,由于将下部电极的结构作成与栅电极相同的结构,故具有在与栅电极的构图能同时...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。