技术编号:6832353
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及,尤其涉及这样一种,在该方法中,为了形成线型存储节点接触(aline-type storage node contact)(以下称为“SNC”),在STI(浅沟槽隔离)(shallow trench isolation)蚀刻工艺中使用对氧化膜具有高选择性的CMP浆料研磨层间介质(interlayer dielectric)(以下称为“ILD”)层,并且在半导体衬底上再次形成具有预定厚度的ILD层以确保足够的蚀刻裕度(etchingmargin...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。