技术编号：6832412
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及诸如二极管、晶闸管(thyristor)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、发光二级管(LED)等的半导体器件，特别涉及一种用于在氧化物之下的硅或碳化硅衬底上形成氧化物层的新颖工艺。 背景技术 二氧化硅(SiO2)层通常是在这样一种半导体器件加工过程中通过热生长形成的，在该过程中，硅或碳化硅表面在湿润的环境中受到加热以生长出SiO2(下文中常称为生长氧化物或热氧化物)。由于下层衬底在该过程中被转变为Si...
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