技术编号：6832497
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及分压电路。背景技术 装入了多个电容元件的半导体器件是已知的。这样的半导体器件例如由双极型集成电路构成(例如，参照专利文献1)。图9示出用于该双极型集成电路的单位电容元件的断面构造的一例。如图9所示，单位电容元件Cy由P型的半导体衬底1、P型的分离区域2、由分离区域2包围的N型层构成的岛区域3、在岛区域3的表面上形成的N型的下部电极区域4、氧化膜5、硅氮化膜等的电介质薄膜6、铝的上部电极7、以及下部电极的引出电极8构成。其电容值大致由电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。