技术编号:6832777
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种用于,属于微电子光刻过程模拟。背景技术 随着微机械电子系统(MEMS)和集成电路(IC)器件尺寸的不断缩小,光刻工艺的三维模拟成为准确地分析诸如接触孔、拐角等一些关键复杂结构的加工过程并在版图设计中作相应优化设计的必要工具。光刻过程模拟基本上包含空间像强度分布、曝光、后烘、刻蚀,其中光刻胶的刻蚀过程模拟是耗时最多的一个模拟步骤,要提高光刻过程模拟的速度,提高光刻胶刻蚀过程模拟的速度是关键。目前,光刻胶三维刻蚀过程的模拟方法主要有单元移去方法...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。