技术编号:6833328
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明揭示垂直结构的半导体芯片或器件(包括高亮度GaN基,GaInP基,和GaInPN基LED,特别是功率型高亮度LED)及其低成本和高产率的批量生产方法,属于半导体光电子。背景技术 大量的努力被投注于垂直结构的半导体芯片或器件,包括GaN基,GaInP基,和GaInPN基半导体发光二极管(LED),及其批量生产方法。垂直结构的半导体芯片具备如下优点(1)传统倒装焊半导体芯片的所有优点,例如优良的热导率,但是没有传统倒装焊工艺的缺点,例如复杂的工艺,很低的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。