技术编号：6833351
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CMOS元件，特别是涉及一种能对晶体管掺杂区施以偏压的CMOS元件。背景技术 制程步骤的复杂度、元件电路密度以及元件最小尺寸使得先进的复杂半导体元件设计与制造技术日益成熟。因此，在先进的复杂半导体元件设计中，必须考虑很多因素，包括功耗、速度性能、漏电功耗等。相应地，布图、电性模拟以及许多其它相关步骤便被整合于已成熟的电子元件设计系统当中。这类电子设计系统使集成电路设计者能够在计算机虚拟环境中产生复杂的结构，建立复杂的三维单元(cell)并加以...
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