技术编号:6833420
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件及其制作方法,且更加特别地,涉及含采用氩等离子体处理含硅衬底的表面获得热稳定的硅化物薄膜的半导体器件及其制作方法。背景技术 硅器件制造技术的迅速发展导致亚微米器件的获得。相应地,由于用于形成栅极和源/漏极接触的区域的细小,接触电阻和片电阻(sheet resistance)增加。该现象导致硅器件操作速度大大减小,因为出现RC延迟的增加。为解决该问题,片电阻和接触电阻通过在如栅极和源/漏极的接触区域中形成硅化物来减小,该硅化物为硅和金属之...
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