技术编号:6833603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于氮化镓发光二极管结构,特别是以ITO为材质所制成的顶部透射接触层、以形成增加透射光线且增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构。背景技术 据了解,通常在现有技术中使用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)多重量子井发光二极管(MQW LEDs)作为发光装置,而广泛应用于各种静态显示功能与用途,例如钟表、显示屏幕、以及广告面板等中的数字或影像的显示。然而,这种装置的发光亮度与光线透射效率受到其顶部透明接触层的限制,其目前透光率至多仅达到62%,因此...
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