技术编号:6833605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关氮化镓多重量子井发光二极管,特别是有关氮化镓多重量子井发光二极管中的低电阻n型接触层的结构。背景技术 由于氮化镓(GaN)发光二极管可以借助控制材料的组成来达到所需的能隙(Band Gap),因此可以制作出各种色光,尤其是需要高能隙的蓝光或紫光发光二极管。因此氮化镓发光二极管的相关技术成为业界积极研发的重点。一种公知的氮化镓发光二极管的发光层主要是以氮化镓以及氮化铟镓InxGa1-xN,(0≤x≤1)为位井(Potential Well)的多重...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。