技术编号：6833608
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关氮化镓二极管装置，特别是有关氮化镓二极管装置中的缓冲层的结构。背景技术 氮化镓(GaN)的二极管装置，如可以发蓝光或紫光的氮化镓发光二极管或可以侦测紫外线光的氮化镓光二极管(Photo Diode)等，由于其宽能隙的特性，是最近学界以及产业界研发的重点。这些氮化镓二极管装置的公知的结构是在基板上先以低温(200℃～900℃)成长氮化铝(AlN)或氮化镓的缓冲层，然后再从此缓冲层上以高温成长此二极管装置的其它的氮化镓磊晶结构。这一工艺背后的原因是...
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