技术编号：6833810
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜太阳能电池制造领域，涉及到一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，特别是通过光刻和腐蚀相结合的方法，最大程度的减少了线宽，减小了死区的面积的工艺步骤。背景技术世界能源的需求使太阳电池技术得到了迅猛的发展，目前市场成熟的主流技术以单晶硅和多晶硅太阳电池为主，但由于硅材料的短缺以及生产晶体硅过程中存在的环境问题使其受到限制，中国已经明确限制多晶硅的生产。然而由于薄膜太阳电池具有耗材少、环境友好、成本下降空间较大等优势，科研和生产单位纷纷将薄膜太...
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