基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管的制作方法技术资料下载

技术编号:6833849

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本发明涉及一种固态开关及放大器件,即晶体管,尤其是一种基于双势垒隧道结共振隧穿效应的自旋晶体管器件。背景技术 自1988年在磁性多层膜中发现巨磁阻效应(GMR)以来,在物理和材料科学的研究和应用取得了很大进展。1993年Johnson[M.Johnson,Science 260(1993)320]提出了一个由铁磁性金属发射极、一个厚度小于自旋扩散长度的非磁性金属基极和另一个铁磁性金属集电极组成的“铁磁性金属/非磁性金属/铁磁性金属”三明治全金属自旋晶体管。...
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