技术编号:6834049
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及使用槽型结构作为MOS栅的半导体器件及其制造方法。更详细地说,涉及改善了在槽内壁上形成的栅氧化膜特性的半导体器件及其制造方法。背景技术 图16是用于说明使用槽作为MOS栅的现有的功率器件(例如IGBT绝缘栅型双极型晶体管)的结构及其制造方法。图16(a)是表示槽的排列的概念图,图16(b)是沿图16(a)的A-A’线的槽的长边方向的功率器件的剖面图,图16(c)是沿横切图16(a)的B-B’线的槽的垂直线的功率器件的剖面图。在图中,1表示n-型扩...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。