技术编号:6834064
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路器件制造中的光刻技术,特别是涉及一种。适用于在具有埋层图形的硅片上形成的厚外延层上采用投影光刻机进行投影光刻。背景技术在半导体集成电路器件制造中,有时需要在具有埋层图形的硅片上形成较厚的外延层,该外延层厚度一般为8--40μm。当外延层超过8μm时,由于外延工艺会造成光刻曝光的对位标记图形漂移和畸变,使具有埋层图形的硅片外延后,用投影光刻技术无法识别硅片上的光刻对位标记,因而,现有的投影光刻机及其精确的套准技术无法用于具有埋层图...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。