技术编号:6834447
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及采用垂直布里奇曼法、垂直温度梯度凝固法制备的添加硅的砷化镓(GaAs)单结晶基板,尤其是关于制作LED、激光二极管等光装置时,作为基板使用的、采用垂直布里奇曼法、垂直温度梯度凝固法制备的添加硅的砷化镓单结晶基板。背景技术 作为基板使用的砷化镓(以下记作GaAs)等化合物半导体单结晶,一直以来,通过采用水平布里奇曼法(HB法)、液体封闭上引法(LEC法)、垂直布里奇曼法(VB法)及垂直温度梯度凝固法(VGF法)等各种工业方法来制备(如参考专利文献1...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。