技术编号:6834452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置的制造方法,尤其是一种在半导体装置中形成细微图案的方法。背景技术 一般而言,形成的半导体装置具有许多单元装置元件。当半导体装置的集成度增加,单元装置元件,如晶体管和电容器,的尺寸会比例性地减小。尤其,在动态随机存取内存(DRAM)装置中,设计规则的减少已导致形成在单胞中的半导体装置的尺寸减少。例如,目前所形成的DRAM装置的线宽尺寸小于0.1μm,而更极端的情况,线宽的要求缩减尺寸小于80nm。因此,推进具有要求的线宽尺寸的DRAM...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。